名称：FDS9933A

晶体管类型：MOSFET

极性：P

最大功耗（Pd）：2 W.

允许的最大漏源电压（Uds）：20 V.

最大允许直流消耗（Id）：3.8 A.

最高通道温度（Tj）：150°C

总快门电荷（Qg）：7 nC

开源晶体管（Rds）漏源电阻：0.075欧姆

外壳类型：SO8

1998年11月FDS9933A双P沟道2.5V指定PowerTrench？MOSFET特性概述这些P沟道2.5V规格的MOSFET产生 -3.8 A，-20 V. RDS（on）= 0.075？使用飞兆半导体先进的PowerTrench RDS（on）= 0.105，@ VGS = -4.5 V？@ VGS = -2.5 V.专门为最小化导通电阻而保持低电平的工艺

2006年9月FDS9933双P沟道2.5V指定PowerTrench MOSFET概述特性该P沟道MOSFET是 5A， 20V，RDS（ON）= 55 m的坚固栅极版本？@ VGS = 4.5V飞兆半导体的先进PowerTrench RDS（ON）= 90 m？@ VGS = 2.5V过程。它针对具有宽范围栅极驱动电压的电源管理应用进行了优化

2008年3月FDS9933BZ tm双P沟道2.5V指定PowerTrench MOSFET-20V， 亿配芯城 -4.9A，46m？功能一般说明最大rDS（开）= 46米？VGS = -4.5V，ID = -4.9A这些P沟道2.5V规定的MOSFET采用飞兆半导体公司先进的PowerTrench?工艺Max rDS（on）= 69m？在VGS = -2.5V，ID = -4.0A时，它被特别定制以最小化导通状态

• 效应
• FDS9933A