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- 发布日期:2024-04-24 08:13 点击次数:59
5月30日消息,据SK海力士官网宣布,他们已经开发出了目前DRAM中最为微细化的第五代10纳米级(1b)技术,并将适用其技术的DDR5服务器DRAM提供给英特尔公司。这项技术已经被英特尔的数据中心存储器认证程序(The Intel Data Center Certified memory program)认可,这是服务器用第四代至强®可扩展平台*( Intel® Xeon® Scalable platform)所采用的存储器产品兼容性的正式认证流程。
*HKMG(High-K Metal Gate): 是一种新一代工艺,在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质,在防止漏电的同时还可以改善电容(Capacitance)。不仅可以提高内存速度, 芯片采购平台还可降低功耗。SK海力士于去年11月推出了在移动DRAM上全球首次采用HKMG工艺的8.5Gbps LPDDR5X。在今年1月推出的9.6Gbps LPDDR5T移动DRAM也采用了HKMG工艺。
SK海力士向英特尔提供的DDR5 DRAM产品运行速度高达6.4Gbps(每秒6.4千兆比特),是现在市面上DDR5 DRAM中速度最高的产品。与DDR5 DRAM初期阶段的试制品*相比,数据处理速度提升了33%。*DDR5 DRAM初期阶段试制品的运行速度为4.8Gbps(每秒4.8千兆比特),而JEDEC标准中DDR5的最高运行速度为8.8Gbps。
SK海力士强调:“通过1b技术的研发成功,将可向全球客户供应高性能与高效能功耗比*兼备的DRAM产品。”
*效能功耗比:每一定单位功率每秒可处理的数据容量指标
SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕说道:“就如于公司在今年1月将第四代10纳米级(1a)DDR5服务器DRAM适用到英特尔®第四代至强®可扩展处理器(4th Gen Intel® Xeon® Scalable processors),并在业界首次获得认证,此次1b DDR5 DRAM产品验证也会成功完成。”
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