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Intel 10nm工艺还在苦苦挣扎,台积电和三星已经开始量产7nm,下一步自然就是5nm,台积电近日也首次公开了5nm的部分关键指标,看起来不是很乐观。 明年,台积电的第二代7nm工艺会在部分非关键层面上首次尝试使用EVU极紫外光刻系统,工艺节点从CLN7FF升级为CLN7FF+,号称晶体管密度可因此增加20%,而在同样密度和频率下功耗可降低10%。 台积电5nm(CLN5)将继续使用荷兰ASML Twinscan NXE: 3400 EUV光刻机系统,扩大EUV的使用范围,相比于第一代7n
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