三星电子2023年半导体业务亏损超100亿美元
2024-03-2312月28日，在全球经济放缓和存储需求低迷的背景下，三星电子预计2023年半导体相关业务亏损将超过13万亿韩元（约合100亿美元），这是该公司首次连续四个季度出现亏损。 尽管面临困境，但随着存储价格的反弹和客户库存的消耗，三星半导体业务的亏损在2023年第四季度开始趋于收敛。行业预计，三星2023年第四季度营收将同比下降1.1%，营业利润同比下降17.2%。展望2024年，随着存储需求的预期增长，三星预计其半导体业务将得到改善。该公司目标不仅实现扭亏为盈，而且年营业利润将超过12万亿韩元。然而
三星CL05B104KA5NNC贴片陶瓷电容CAP CER
2024-03-23标题：三星CL05B104KA5NNNC贴片陶瓷电容的应用介绍 一、背景概述 三星CL05B104KA5NNNC是一款应用于电子设备中的贴片陶瓷电容，其规格参数为容量为0.1微法拉（μF），电压为25伏特（V），介质为X7R，封装尺寸为0402。这类电容在各类电子设备中具有重要的作用，如滤波、储能等。 二、技术特点 三星CL05B104KA5NNNC贴片陶瓷电容采用陶瓷作为介质，具有体积小、容量大、耐高温、耐腐蚀、质量轻等优点，同时具有稳定的电气性能和良好的工作环境。其电容值和介电常数在温度和
三星K4A8G085WB
2024-03-22随着科技的飞速发展，电子设备的功能越来越强大，对内存的需求也越来越高。三星K4A8G085WB-BCTD BGA封装DDR储存芯片作为一种重要的内存器件，在各类电子产品中发挥着不可或缺的作用。本文将介绍三星K4A8G085WB-BCTD BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用。 一、技术特点 三星K4A8G085WB-BCTD BGA封装DDR储存芯片采用了先进的BGA封装技术。这种技术通过将芯片焊接在PCB上，使其具有更高的集成度、更小的体积和更强的稳定性。该芯片采用了高速DDR2内存接口
三星K4A8G085WB
2024-03-22随着科技的飞速发展，内存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。三星K4A8G085WB-BCRC作为一种BGA封装的DDR储存芯片，以其卓越的性能和广泛的应用领域，成为了市场上的明星产品。本文将深入探讨这款芯片的技术特点和方案应用，以飨读者。 首先，我们来了解一下三星K4A8G085WB-BCRC的基本技术特点。这款芯片采用了先进的BGA封装技术，具有高密度、高可靠性和低功耗的特点。其存储容量达到了单颗512MB，支持双通道DDR2内存接口，工作频率为667MHz。此外，该芯片还具有优
三星代工(Samsung Foundry)最新定价调整
2024-03-221月6日，据业内消息，三星代工最近调整了2024年第1季度的定价策略，为客户提供5%-15%的折扣。这一举措被视为三星代工挖角台积电客户的低价策略。 为了吸引更多客户，三星代工正在通过积极谈判，寻求与高通、英伟达、AMD等知名半导体公司合作的机会。在2023年半导体行业低迷的背景下，韩国晶圆厂纷纷采取降价等措施以确保订单。成熟工艺的8英寸和12英寸晶圆的价格降幅达到了20-30%。尽管台积电在2023年也做了一些价格让步，但主要针对7nm工艺，且让步程度取决于客户订单的数量。面对三星代工的竞争
三星CL10B104KB8NNC贴片陶瓷电容CAP CER
2024-03-22标题：三星CL10B104KB8NNNC贴片陶瓷电容的应用介绍 随着电子技术的快速发展，陶瓷电容在各种电子设备中的应用越来越广泛。三星CL10B104KB8NNNC贴片陶瓷电容作为一种重要的电子元件，具有许多优点，如高稳定性、低热膨胀系数、良好的绝缘性能等。本文将介绍三星CL10B104KB8NNNC贴片陶瓷电容的技术和方案应用。 一、技术介绍 三星CL10B104KB8NNNC贴片陶瓷电容采用了先进的陶瓷材料和高频响应的电极材料，具有优异的电气性能和机械性能。该电容的容量为0.1UF，工作电
三星K4A8G085WB
2024-03-21随着科技的飞速发展，内存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。三星K4A8G085WB-BCPB是一款采用BGA封装的DDR储存芯片，它凭借其卓越的性能和稳定性，在各类电子产品中发挥着关键作用。 首先，我们来了解一下三星K4A8G085WB-BCPB的基本技术特点。这款芯片采用DDR3技术，工作频率为1600MHz。其容量为单颗8GB，并支持双通道内存模组接口。此外，它还具有低功耗、低延迟和高数据稳定性的特点，使其在各种使用场景中都能表现出色。 在封装方面，BGA封装是这款芯片的重要特
三星K4A8G045WB
2024-03-21随着科技的飞速发展，电子设备对内存的需求越来越高，而三星K4A8G045WB-BCRC这种BGA封装的DDR储存芯片在电子设备中扮演着至关重要的角色。本文将对该芯片的技术和方案应用进行介绍。 首先，我们来了解一下三星K4A8G045WB-BCRC的特点。该芯片是一款采用BGA封装的DDR储存芯片，具有高容量、高速度、低功耗等特点。其容量为4GB，工作频率为PC3-12000，数据传输速率极高，能够满足各种高端电子设备的内存需求。此外，该芯片还采用了先进的生产工艺，具有较高的可靠性和稳定性。 在
三星CL10B104KB8NNL贴片陶瓷电容CAP CER
2024-03-21标题：三星CL10B104KB8NNNL贴片陶瓷电容CAP CER应用介绍 随着电子技术的快速发展，陶瓷电容在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星CL10B104KB8NNNL贴片陶瓷电容，作为一种常用的电子元件，具有许多独特的技术和方案应用。 首先，三星CL10B104KB8NNNL贴片陶瓷电容CAP CER采用了先进的陶瓷材料和精密工艺制造而成，具有出色的电气性能和稳定性。它的电容量误差范围在规定范围内，且具有较高的耐压性和抗腐蚀性。此外，该电容的体积小、重量轻、可靠性高，因此在各种
三星K4A4G165WF
2024-03-20随着科技的飞速发展，内存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。三星K4A4G165WF-BITD BGA封装DDR储存芯片便是其中一种具有广泛应用前景的芯片产品。本文将围绕该芯片的技术和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 三星K4A4G165WF-BITD BGA封装DDR储存芯片采用了先进的内存技术，具有以下特点： 1. 高速度：该芯片支持高达1600MHz的频率，能够提供更高的数据传输速率，满足现代电子设备的性能需求。 2. 高密度：该芯片采用了先进的BGA封装技术，具有更小的体