欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:WIZnet(微知纳特)TCP/IP以太网芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > 功率

功率 相关话题

TOPIC

标题:Infineon(IR) IKY50N120CH3XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简述产品 Infineon(IR) IKY50N120CH3XKSA1是一款高性能的功率半导体IGBT,其特点是工作电压低、电流容量大、开关速度快,适用于各种高电压、大电流的电源应用。该器件的额定值为1200V和100A,封装为TO247-4,具有优良的热性能和机械性能。 二、技术特点 IKY50N120CH3XKSA1 IGBT采用了Infineon(IR)独特的ECOC(电子优化冷却)技
标题:IXYS艾赛斯IXYH24N90C3D1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在现代工业、交通、医疗等领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXYH24N90C3D1功率半导体IGBT作为一种重要的电力电子器件,在各种设备中发挥着至关重要的作用。本文将介绍IXYS IXYH24N90C3D1的技术和方案应用。 首先,我们来了解一下IXYS IXYH24N90C3D1的基本参数。该器件是一款900V,44A,200W的功率半导体IGBT,其C3 TO-247
标题:Infineon(IR) IKY50N120CH7XKSA1功率半导体:技术与应用的前沿视角 在当今的电子工业中,功率半导体的应用越来越广泛,它们在提高能效、降低能耗和提高系统性能方面发挥着至关重要的作用。今天,我们将深入探讨Infineon(IR)的IKY50N120CH7XKSA1功率半导体,这款产品以其独特的技术和方案应用,在业界引起了广泛的关注。 首先,让我们来了解一下IKY50N120CH7XKSA1的基本技术特性。这款功率半导体器件是一款N-MOS晶体管,其工作电压范围为12
在笔记本电脑、平板电脑、智能手机、电视机以及车载电子设备等运行时,有时会听到叽的噪音,该现象称为啸叫。 导致啸叫出现的原因可能在于电容器、电感器等无源元件。 电容器与电感器的发生啸叫的原理不同,尤其是电感器的啸叫,其原因多种多样,十分复杂。 本文中将就DC-DC转换器等电源电路的主要元件——功率电感器的啸叫原因以及有效对策进行介绍。 功率电感器啸叫原因 [1]. 间歇工作、频率可变模式、负荷变动等可能导致人耳可听频率振动 声波是在空气中传播的弹性波,人的听觉可听到大约20~20kHz频率范围的
标题:IXYS艾赛斯IXXH150N60C3功率半导体IGBT 600V TO247的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司生产的IXXH150N60C3功率半导体IGBT,以其卓越的性能和稳定性,在市场上占据着重要的地位。本文将详细介绍IXXH150N60C3的特性和应用方案。 首先,我们来了解一下IXXH150N60C3的基本参数。这款IGBT是一款600V的TO247封装产品,其通态电压大约在3.5V到4.5V之间,适用于各种
标题:Infineon(IR) IKWH100N65EH7XKSA1功率半导体:卓越性能与Industry 14技术的完美结合 在当今的电子行业中,功率半导体器件的地位日益凸显。作为电子设备的心脏,功率半导体负责转换、调节和控制电能,其性能和效率直接影响着整个系统的表现。Infineon(IR)的IKWH100N65EH7XKSA1功率半导体,以其卓越的性能和创新的Industry 14技术,为电子行业带来了革命性的改变。 IKWH100N65EH7XKSA1是一款高性能的功率半导体,采用先进
标题:IXYS艾赛斯IXGT30N120B3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、背景概述 功率半导体IGBT,即绝缘栅双极型晶体管,是一种重要的电子元器件。它具有开关速度快、损耗低、耐压高、驱动功率小等优点,广泛应用于各种电子设备中,如电源、电机驱动、太阳能逆变器、电动汽车等。本文将介绍IXYS艾赛斯IXGT30N120B3D1这款具有代表性的功率半导体IGBT及其应用方案。 二、技术详解 IXGT30N120B3D1是一款1200V,300W的IGBT。其特点包括高耐压、高功率、快速开
标题:Infineon(IR) IKQ50N120CH7XKSA1功率半导体器件在工业14领域的先进技术和方案应用介绍 随着科技的不断进步,功率半导体器件在工业领域的应用越来越广泛。作为全球知名的半导体解决方案提供商,Infineon(IR)公司以其IKQ50N120CH7XKSA1功率半导体器件在工业14领域中发挥着至关重要的作用。本文将详细介绍该器件的技术特点和方案应用,以帮助读者更好地了解其优势和应用前景。 一、技术特点 Infineon(IR) IKQ50N120CH7XKSA1功率半
标题:IXYS艾赛斯IXGT72N60A3功率半导体IGBT 600V 75A 540W TO268的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在现代工业中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司作为全球知名的功率半导体供应商,其IXGT72N60A3 IGBT模块在电力电子领域中具有广泛的应用前景。本文将围绕IXYS艾赛斯IXGT72N60A3功率半导体IGBT的技术和方案应用进行介绍。 首先,我们来了解一下IXGT72N60A3 IGBT模块的技术特点。该模块采用600V 75A的I
标题:Infineon(IR) IKFW75N60ETXKSA1功率半导体在工业14领域的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体在工业领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)公司作为全球知名的半导体制造商,其IKFW75N60ETXKSA1功率半导体在工业14领域中具有显著的技术优势和方案应用。 IKFW75N60ETXKSA1功率半导体是一款高性能的超结功率MOSFET,具有高耐压、大电流、高效率等特点。其在工业14领域的应用中,表现出色。首先,该器件的高导通电阻和快速开关