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OPAMP运算放大器芯片是具备差分输入和单端输入的极低增益放大器。常用作低精度的模拟电路之中,因此必须对其性能展开精确测量。但在开环测定之中,开环电压可低达107或更低,并且拾音器、杂散电流或Seebeck(热电偶)效应会在放大器输入端造成非常大的电压,因此误差是难以避免的。 测量过程可大大简化,通过采用一个伺服回路,被迫放大器的输入为零,容许被测放大器测定自己的误差。图1表明了一个多功能的电路,透过这一原理,采用一个辅助运算放大器当作积分器,以设立一个平稳的回路,具备非常低的直流开环电压。获
目前IGBT的主要销售品牌有,飞兆(又名仙童快捷)三菱、富士、东芝、三社、三垦、西门康、英飞凌.IGBT是绝缘栅双极型晶体管(isolated gate bipolar transistor),它是八十年代初诞生,九十年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件。igbt将mosfet与gtr的优点集于一身,既有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动型,又具有通态压降低、高电压、大电流的优点。西门康三肯英飞凌,东芝在1200v的单管上性能不错,但其价格一般都相比飞兆高出10%左右,飞兆公司先后收购
电容在电源变压器中是一种很普遍的电子元件,它能够用于减少谐波失真噪音,能够用于提升开关电源的可靠性及其瞬态回应性,可是因为销售市场上的品类繁多,人们该怎么才能的挑选可信性高和特性平稳的电容呢? 1、电容种类的掌握 对电容种类的大概掌握,在挑选电容时有利于对电容种类的迅速挑选。 电容种类较多,按封裝分别是贴片式电容、软件电容,按物质分别是陶瓷电容,钽电容,电解法电容、黑云母电容、塑料薄膜电容等,按构造局势分,有固定不动电容、半固定不动电容、可变性电容。 电容种类的多种多样,非常容易令人深陷选择恐
在数字信号交连,开关电源噪音道旁等地区大家都能够看到薄膜电容器的背影。做为购置者该怎样选择薄膜电容器呢,在诸多的薄膜电容器生产厂家中选择适合的生产厂家是个细腻的事儿,选择没错一切都是好,倘若没搞好得话购置全过程便会越来越很不理想化。态度决定成功与失败,因此人们而言一说关键点选择薄膜电容器所要留意的主要参数。 薄膜电容器生产厂家选择电容器要留意一点:额定电压。说白了额定电压就是指薄膜电容器在电源电路中一定期内可以一切正常,平稳,靠谱工作中的释放在电容器两边的工作电压值。薄膜电容器的额定电压不仅与
前言 光耦做为一个隔离器件早已获得广泛运用,无所不在。一般大伙儿在第一次触碰到光耦时通常觉得找不到方向,不知道设计方案对错,伴随着碰到愈来愈多的难题,才会渐渐地有一定的感受。 文中就三个层面对光耦做讨论:光耦原理;光耦的 CTR 定义;光耦的廷时。本讨论也是有了解上的局限,但期待能协助到第一次应用光耦的朋友。 了解光耦 光耦是隔离传送器件,原边给出信号,副边回路便会輸出历经隔离的信号。针对光耦的隔离非常容易了解,这里不做讨论。 以一个简易的图(图.1)表明光耦的工作中:原边键入信号 Vin,释
MLCC(多层陶瓷电容器)是一种广泛应用于电子设备中的基础元件,其性能参数对电路性能有着至关重要的影响。了解这些参数的含义及其对电路性能的影响,对于正确选择和使用MLCC至关重要。 电容值 电容值是MLCC的一个基本性能参数,它代表了MLCC的电容量,单位通常是皮法(pF)或微法拉(uF)。电容的主要功能是隔直通交,平滑电路,去除交流信号的波动性,提高信噪比,吸收电路中的冲击电流。电容值的正确选择和使用对于保证电路的正常运行至关重要。 额定电压 额定电压是MLCC能够承受的最大电压值,它决定了
二三极管是电子设备中不可或缺的关键元件,它们在电路中发挥着重要的作用。本文将介绍二三极管的关键性能参数,包括放大倍数、开关速度和耐压等。 一、放大倍数 放大倍数是指二三极管在输入信号的作用下,输出信号的变化程度。放大倍数越高,二三极管的放大能力越强。但是,放大倍数并不是越高越好,它受到元件本身性能和电路环境的影响,过高或过低的放大倍数可能会导致信号失真或不稳定。 二、开关速度 开关速度是指二三极管从一个状态快速切换到另一个状态的能力。对于开关电路而言,二三极管的开关速度至关重要。快速开关能够减
1、带宽 一般指传感器输出响应下降到其最大相应的根号二分之一或功率一半的信号范围,通俗点说就是传感器能够采样的范围,传感器对外界信号的响应范围的指标是其带宽,主要描述传感器的动态特性(能否跟得上被测量的变化频率),而有效带宽指传感器实际能保证测量精度的带宽,这里的带宽实际上是从频域去描述的。再换句话说,其实这东西跟频率响应是一回事,也就是传感器对外部信号的反应能力!从传递函数角度来看,大部分传感器都可以简化为一个一阶或二阶环节。 2、灵敏度 灵敏度是指稳态运行下传感器的输出变化△y与输入变化△
1 击穿电压VBR 击穿电压VBR 等于1 mA 的测试电流通过TVS时,TVS 两极的电压值。VBR 根据其与标准值的离散程度分为两种:VBR(5%)与VBR(10%)。 2 额定反向工作电压VWM TVS反向工作时,在规定的IR条件下,TVS两极的电压值称为额定反向工作电压VWM.一般情况,VWM=(0.8~0.9)VBR,离散度为5%的TVS,VWM=0.85VBR(5%);离散度为10%的TVS,VWM=0.81VBR(10%)。VWM值的选择要适中,VWM值既要大于等于US(持续工作
MOS管的基本参数,大家熟悉的必然是Ids电流,Ron导通电阻,Vgs的阈值电压,Cgs、Cgd、Cds这几项,然而在高速应用中,开关速度这个指标比较重要。 上图四项指标,项是导通延时时间,第二项是上升时间,第三项是关闭延时时间,第四项是下降时间。定义如下图: 在高速H桥应用中,MOS管内部的反向并联寄生二极管的响应速度指标Trr,也就是二极管的反向恢复时间这个指标很重要,否则容易炸机,下图为高速二极管。 高速下,二极管也不是理想的,二极管导通后,PN节中充满了电子和空穴,当瞬间反向加电的时候