场效应管FDS9933A
2024-06-15名称：FDS9933A 晶体管类型：MOSFET 极性：P 最大功耗（Pd）：2 W. 允许的最大漏源电压（Uds）：20 V. 最大允许直流消耗（Id）：3.8 A. 最高通道温度（Tj）：150°C 总快门电荷（Qg）：7 nC 开源晶体管（Rds）漏源电阻：0.075欧姆 外壳类型：SO8 1998年11月FDS9933A双P沟道2.5V指定PowerTrench？MOSFET特性概述这些P沟道2.5V规格的MOSFET产生 -3.8 A，-20 V. RDS（on）= 0.075？使用