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FDS9933A 相关话题

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名称:FDS9933A 晶体管类型:MOSFET 极性:P 最大功耗(Pd):2 W. 允许的最大漏源电压(Uds):20 V. 最大允许直流消耗(Id):3.8 A. 最高通道温度(Tj):150°C 总快门电荷(Qg):7 nC 开源晶体管(Rds)漏源电阻:0.075欧姆 外壳类型:SO8 1998年11月FDS9933A双P沟道2.5V指定PowerTrench?MOSFET特性概述这些P沟道2.5V规格的MOSFET产生 -3.8 A,-20 V. RDS(on)= 0.075?使用
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