5月30日消息，据SK海力士官网宣布，他们已经开发出了目前DRAM中最为微细化的第五代10纳米级（1b）技术，并将适用其技术的DDR5服务器DRAM提供给英特尔公司。这项技术已经被英特尔的数据中心存储器认证程序（The Intel Data Center Certified memory program）认可，这是服务器用第四代至强®可扩展平台*（ Intel® Xeon® Scalable platform）所采用的存储器产品兼容性的正式认证流程。  

*HKMG（High-K Metal Gate）: 是一种新一代工艺，在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质，在防止漏电的同时还可以改善电容（Capacitance）。不仅可以提高内存速度，还可降低功耗。SK海力士于去年11月推出了在移动DRAM上全球首次采用HKMG工艺的8.5Gbps LPDDR5X。在今年1月推出的9.6Gbps LPDDR5T移动DRAM也采用了HKMG工艺。

SK海力士向英特尔提供的DDR5 DRAM产品运行速度高达6.4Gbps（每秒6.4千兆比特）， 芯片采购平台是现在市面上DDR5 DRAM中速度最高的产品。与DDR5 DRAM初期阶段的试制品*相比，数据处理速度提升了33%。*DDR5 DRAM初期阶段试制品的运行速度为4.8Gbps（每秒4.8千兆比特），而JEDEC标准中DDR5的最高运行速度为8.8Gbps。

SK海力士强调：“通过1b技术的研发成功，将可向全球客户供应高性能与高效能功耗比*兼备的DRAM产品。”

*效能功耗比：每一定单位功率每秒可处理的数据容量指标

SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕说道：“就如于公司在今年1月将第四代10纳米级（1a）DDR5服务器DRAM适用到英特尔®第四代至强®可扩展处理器（4th Gen Intel® Xeon® Scalable processors），并在业界首次获得认证，此次1b DDR5 DRAM产品验证也会成功完成。” 

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